Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного производства первых в индустрии модулей eUFS объемом 512 гигабайт для мобильных устройств следующего поколения.

Скорость последовательного чтения и записи составляет 860 МБ/с и 255 МБ/с, соотвественно. Для произвольных операций, новые eUFS технологии обеспечивают 42 000 IOPS ( операций ввода-вывода в секунду) при чтении и 40 000 IOPS при записи, что является в 400 раз быстрее скорости в 100 IOPS у обычных карт microSD.

Такие модули памяти будут использоваться  на флагманских смартфонах и планшетах. Встраиваемые модули флеш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) используют 64-слойные 512-гигабитные чипы V-NAND. Производитель отмечает, они вдвое выше плотностью прошлых модулей eUFS на 256 ГБ с 48-слойными чипами V-NAND.

В связи с информацией о новой волне блокировок, специально для наших посетителей сделали бесплатный прокси для Телеграмм по ссылке.

Если Вы это читаете, значит Вам было интересно, поэтому пожалуйста подпишитесь на наш канал на Яндекс.Дзен, ну и за одно поставьте лайк (палец вверх) за труды. Спасибо!

В связи с информацией о новой волне блокировок, специально для наших посетителей сделали бесплатный прокси для Телеграмм по ссылке.

Если Вы это читаете, значит Вам было интересно, поэтому пожалуйста подпишитесь на наш канал на Яндекс.Дзен, ну и за одно поставьте лайк (палец вверх) за труды. Спасибо!
Подписывайтесь на наш Телеграм @mxsmart.

За комментарий плюс в карму!

Please enter your comment!
Please enter your name here