Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного производства первых в индустрии модулей eUFS объемом 512 гигабайт для мобильных устройств следующего поколения.

Скорость последовательного чтения и записи составляет 860 МБ/с и 255 МБ/с, соотвественно. Для произвольных операций, новые eUFS технологии обеспечивают 42 000 IOPS ( операций ввода-вывода в секунду) при чтении и 40 000 IOPS при записи, что является в 400 раз быстрее скорости в 100 IOPS у обычных карт microSD.

Такие модули памяти будут использоваться  на флагманских смартфонах и планшетах. Встраиваемые модули флеш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) используют 64-слойные 512-гигабитные чипы V-NAND. Производитель отмечает, они вдвое выше плотностью прошлых модулей eUFS на 256 ГБ с 48-слойными чипами V-NAND.

Если Вы это читаете, значит Вам было интересно, поэтому пожалуйста подпишитесь на наш канал на Яндекс.Дзен, ну и за одно поставьте лайк (палец вверх) за труды. Спасибо!

Если Вы это читаете, значит Вам было интересно, поэтому пожалуйста подпишитесь на наш канал на Яндекс.Дзен, ну и за одно поставьте лайк (палец вверх) за труды. Спасибо!
Подписывайтесь на наш Телеграм @mxsmart.

За комментарий плюс в карму!

Please enter your comment!
Please enter your name here